Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de la categoría M2
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
AJUSTE 8SOIC DEL ALZA INV DE IC REG BUCK
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría de productos:
Reguladores de voltaje que cambian
Rectificador sincrónico:
No
@ qty:
0
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Configuración de salida:
Positivo o negativo
Fabricante:
En el caso de las
Cantidad mínima:
2500
Factory Stock:
0
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TJ)
Voltagem - Entrada (min):
3 V
Función:
Paso a paso, paso a paso
Topología:
Dólar, alza
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Voltagem - salida (máximo):
40 V
Número de resultados:
1
Tipo de salida:
Adjustable
Corriente - Producción:
1.5A (interruptor)
Frecuencia - Cambio:
150kHz
Válvulas de tensión y de salida (min/fija):
1.25V
Envase / estuche:
8-SOIC (0.154" , anchura de 3.90m m)
Voltagem - Entrada (máximo):
40 V
Serie:
-
Introducción
El NCV3064DR2G, de onsemi, son reguladores de voltaje de conmutación. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado mundial, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
