NCP3063BDR2G
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
Ajuste 1.5A 8SOIC de IC REG BUCK BST
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (ICs)
Gestión del poder (PMIC)
Reguladores de voltaje - recortes reguladores de
Rectificador sincrónico:
No
Frecuencia - Cambio:
150kHz
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C (TJ)
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Voltagem - Entrada (min):
3 V
Función:
Paso a paso, paso a paso
Válvulas de tensión y de salida (min/fija):
1.25V
Tipo de salida:
Adjustable
Corriente - Producción:
1.5A (interruptor)
Voltagem - Entrada (máximo):
40 V
Voltagem - salida (máximo):
40V (interruptor)
Topología:
Dólar, alza
Número de resultados:
1
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
El Sr.:
En el caso de las
Configuración de salida:
Positivo o negativo
Número del producto de base:
No se incluyen en la lista.
Introducción
Buck, Regulador de conmutación de impulso IC Positivo o negativo ajustable 1.25V 1 Salida 1.5A (conmutador) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Productos relacionados
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
