Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente.
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
Las medidas de control se aplicarán en el caso de los dispositivos de control de velocidad.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Gestión de energía (PMIC)
Reguladores de tensión - lineal
Características de control:
-
Válvulas de tensión y de salida (min/fija):
5 V
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Número de reguladores:
1
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
Automotriz, AEC-Q100
El PSRR:
80dB (120Hz)
El Sr.:
En el caso de las
Paquete de dispositivos del proveedor:
DPAK
Tipo de salida:
Está fijo.
Se aplicará el método de ensayo de la prueba de tensión.:
-
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C
Corriente - Producción:
500 mA
Voltagem - Entrada (máximo):
Las demás:
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Características de protección:
Sobre temperatura, cortocircuito
Voltagem - salida (máximo):
-
Número del producto de base:
No incluye:
Configuración de salida:
Es positivo.
Introducción
El positivo linear de IC del regulador de voltaje fijó 1 salida 500mA DPAK
Productos relacionados
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
