NCP59748MN2ADJTBG
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
Las condiciones de los sistemas de control de velocidad de los dispositivos de control de velocidad
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Gestión de energía (PMIC)
Reguladores de tensión - lineal
Características de control:
Habilitar, potencia buena, arranque suave
Válvulas de tensión y de salida (min/fija):
0.8V
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Número de reguladores:
1
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
El PSRR:
50dB ~ 30dB (1kHz ~ 300kHz)
El Sr.:
En el caso de las
Paquete de dispositivos del proveedor:
Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2.
Tipo de salida:
Adjustable
Se aplicará el método de ensayo de la prueba de tensión.:
0.165V @ 1,5A
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C
Corriente - Producción:
1.5A
Voltagem - Entrada (máximo):
5.5V
Envase / estuche:
20-VQFN expuso el cojín
Características de protección:
Sobrecorriente, sobre temperatura
Voltagem - salida (máximo):
3.6V
Número del producto de base:
No incluye los productos de origen nacional.
Configuración de salida:
Es positivo.
Introducción
Regulador de tensión lineal IC ajustable positivo 1 salida 1.5A 20-QFN (5x5)
Productos relacionados
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
