S26HS01GTGABHB030 Las condiciones de los servicios de seguridad de los Estados miembros
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Memoria
Memoria
Tamaño de la memoria:
1Gbit
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
la bandeja
Serie:
SemperTM
DigiKey es programable:
No verificado
Interfaz de memoria:
HyperBus
Escriba el tiempo del ciclo - Palabra, página:
1.7ms
Paquete de dispositivos del proveedor:
24-FBGA (8x8)
Tipo de memoria:
No volátiles
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Frecuencia del reloj:
200 MHz
Voltagem - Suministro:
1.7V ~ 2V
Envase / estuche:
24-VBGA
Organización de la memoria:
el 128M x 8
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 105 °C (TA)
tecnología:
FLASH - NI (SLC)
Tiempo de acceso:
5,45 ns
Formato de memoria:
El flash
Introducción
FLASH - NOR (SLC) IC de memoria 1Gbit HyperBus 200 MHz 5,45 ns 24-FBGA (8x8)
Productos relacionados
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
MOSFET MOSFET
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
FZ600R12KE4HOSA1 y sus componentes
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
Se aplicará el procedimiento de ensayo.
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
FM24C16B-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
TLE8366E V50: el motor de la línea de conducción es el TLE8366E V50
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
MOSFET MOSFET
|
|
|
|
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
|
|
|
|
FZ600R12KE4HOSA1 y sus componentes |
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
|
|
|
|
Se aplicará el procedimiento de ensayo. |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
|
|
|
|
FM24C16B-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
|
|
|
S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
TLE8366E V50: el motor de la línea de conducción es el TLE8366E V50 |
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
