NCS2200AMUT1G: las condiciones de los equipos de ensayo
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles para su uso.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Circuitos integrados (CI)
Se trata de una línea
Comparadores
Estado del producto:
Actividad
Retraso de propagación (máximo):
-
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
NCS2200
Actual - prejuicio entrado (máximo):
-
Corriente - Tranquilo (máximo):
17µA
Tipo de salida:
Complementario, de ferrocarril a ferrocarril
La histeresis:
20mV
Paquete de dispositivos del proveedor:
6-UDFN (1.2x1)
El Sr.:
En el caso de las
Actual - salida (tipo):
-
Voltaje - fuente, sola/dual (±):
0.85V ~ 6V
Envase / estuche:
6-UFDFN
CMRR, PSRR (típico):
-
Temperatura de funcionamiento:
-
Voltaje - compensación de la entrada (máxima):
-
Tipo de producto:
Objetivo general
Número del producto de base:
NCS2200
Número de elementos:
1
Introducción
Fines generales complementarios, Carril-a-carril 6-UDFN (1.2x1) del comparador
Productos relacionados
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
