Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFETO de carburo de silicio, NCHANNEL
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
105 nC @ 18 V
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
A través del agujero
Paquete:
El tubo
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Serie:
-
Vgs (máximo):
+22V, -8V
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4.3V @ 8mA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-4L
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
15V, 18V
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Envase / estuche:
TO-247-4
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
650 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
55A (Tc)
tecnología:
SiCFET (carburo de silicio)
Característica del FET:
-
Introducción
N-canal 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) a través del agujero TO-247-4L
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