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2V7002KT1G

fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
0,7 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
1.6Ohm @ 500mA, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
24.5 pF @ 20 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Disipación de poder (máxima):
300mW (Tj)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
2V7002
Resaltar:

Semiconductor IC 2V7002KT1G

,

IC chip 2V7002KT1G with warranty

,

2V7002KT1G electronic component

Introducción
N-canal 60 V 320mA (Ta) 300mW (Tj) Montaje de superficie SOT-23-3 (TO-236)
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: