NTRV4101PT1G
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fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
8.5 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
85 mOhm @ 1,6 A, 4,5 V
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
1.8V, 4.5V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Vgs (máximo):
±8V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
675 pF @ 10 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1.8A (TA)
Disipación de poder (máxima):
420mW (TA)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
NTRV4101: las condiciones de los productos
Introducción
Se aplican las siguientes medidas:
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