BSS138LT1G
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.5V @ 1mA
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
50 pF a 25 V
Serie:
-
Vgs (máximo):
± 20 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
3.5Ohm @ 200mA, 5V
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
5 V
Disipación de poder (máxima):
225mW (TA)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
50 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
200mA (TA)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
BSS138 y BSS139
Resaltar:
BSS138LT1G MOSFET transistor
,BSS138LT1G semiconductor IC
,BSS138LT1G SMD component
Introducción
N-canal 50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Montaje de superficie SOT-23-3 (TO-236)
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