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Se aplican las siguientes medidas:

fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
-
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Envase / estuche:
ATPAK (2 Leads+Tab)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
250 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
6Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de los gase
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
13000 pF @ 20 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
ATPAK
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor
Disipación de poder (máxima):
90W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El ATP304
Introducción
P-canal 60 V 100 A (Ta) 90 W (Tc) Montado de superficie ATPAK
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