NTMFS5C410NLT1G
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN: el sistema de transmisión de la señal de la señal de la señal de la s
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerTDFN, 5 ventajas
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
143 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
0.9mOhm @ 50A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
No se aplican las disposiciones del apartado 1 del presente artículo.
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
46A (TA), 302A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
3.2W (Ta), 139W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
NTMFS5
Resaltar:
Semiconductor IC NTMFS5C410NLT1G
,NTMFS5C410NLT1G MOSFET
,NTMFS5C410NLT1G power transistor
Introducción
N-Canal 40 V 46A (Ta), 302A (Tc) 3.2W (Ta), 139W (Tc) Montaje de superficie 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Productos relacionados
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: