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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 y el resto de los componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5 V @ 4,6 mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
98 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
650 V
Vgs (máximo):
±30V
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4075 pF @ 400 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-3
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
46A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
337W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
NTHL065
Resaltar:

NTHL065N65S3F power MOSFET

,

NTHL065N65S3F semiconductor IC

,

NTHL065N65S3F high-performance transistor

Introducción
N-canal 650 V 46A (Tc) 337W (Tc) a través del agujero TO-247-3
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: