FDN335N
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
5 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
2.5V, 4.5V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
20 V
Vgs (máximo):
±8V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
PowerTrench®
Paquete de dispositivos del proveedor:
El SOT-23-3
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1.7A (TA)
Disipación de poder (máxima):
500mW (TA)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
FDN335
Resaltar:
FDN335N MOSFET semiconductor IC
,FDN335N N-channel transistor
,FDN335N power management IC
Introducción
N-Canal 20 V 1.7A (Ta) 500 mW (Ta) Montado de superficie SOT-23-3
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