Se trata de un sistema de control de la calidad.
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
5 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los vehículos de combustión interna no deben exceder
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
214 pF @ 30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-223-4
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
2.8A (TA)
Disipación de poder (máxima):
3W (TA)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Resaltar:
Semiconductor IC NDT014L
,NDT014L integrated circuit
,IC chip NDT014L
Introducción
N-canal 60 V 2.8A (Ta) 3W (Ta) Montaje de superficie SOT-223-4
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