NTMFS5C645NLT1G
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN y el resto de los componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerTDFN, 5 ventajas
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
34 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
4mOhm @ 50A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
2200 pF @ 50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
22A (TA), 100A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
NTMFS5
Resaltar:
NTMFS5C645NLT1G MOSFET semiconductor IC
,NTMFS5C645NLT1G power management IC
,NTMFS5C645NLT1G transistor with warranty
Introducción
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga.
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