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NTMFS5C410NT1G

fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerTDFN, 5 ventajas
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
86 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
0.92mOhm @ 50A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6100 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
46A (TA), 300A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
3.9W (Ta), 166W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
NTMFS5
Resaltar:

NTMFS5C410NT1G MOSFET semiconductor IC

,

NTMFS5C410NT1G power transistor

,

NTMFS5C410NT1G electronic component

Introducción
Canal N 40 V 46A (TA), 300A (Tc) 3.9W (TA), 166W (Tc) soporte 5-DFN (5x6) (8-SOFL) de la superficie
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: