NVMFS5C410NLWFAFT1G
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerTDFN, 5 ventajas
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
143 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
0.82 mOhm @ 50A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
No se aplican las disposiciones del apartado 1 del presente artículo.
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Paquete de dispositivos del proveedor:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emision
Disipación de poder (máxima):
3.8W (TA), 167W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
NVMFS5
Resaltar:
NVMFS5C410NLWFAFT1G MOSFET semiconductor
,NVMFS5C410NLWFAFT1G power IC
,NVMFS5C410NLWFAFT1G transistor with warranty
Introducción
Canal N 40 V 50A (TA), 330A (Tc) 3.8W (TA), 167W (Tc) soporte 5-DFN (5x6) (8-SOFL) de la superficie
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