NST3946DXV6T1G
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
Transmisión de la energía de la red de la red de la red
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):
200 mA
Estado del producto:
Actividad
Tipo de transistor:
NPN, PNP
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Frecuencia - Transición:
300 MHz, 250 MHz
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:
Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles de los combustibles fósiles de los c
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
40 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de la SOT-563.
El Sr.:
En el caso de las
Corriente - límite del colector (máximo):
-
Potencia - máximo:
500 mW
Envase / estuche:
La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 1V
Número del producto de base:
NST3946
Resaltar:
Semiconductor IC NST3946DXV6T1G
,NST3946DXV6T1G IC chip
,Semiconductor IC with warranty
Introducción
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 500mW Montado de superficie SOT-563
Productos relacionados
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: