BAT54LT1G
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
Diodo SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3 el cual se utiliza para la fabricación de diodos
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
800mV a 100mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Tiempo de recuperación inverso (trr):
5 ns
El Sr.:
En el caso de las
tecnología:
¿ Qué es esto?
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
30 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
El uso de la tecnología BAT54
Resaltar:
BAT54LT1G Schottky diode
,BAT54LT1G semiconductor IC
,BAT54LT1G SMD component
Introducción
Soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) del diodo 30 V 200mA
Productos relacionados
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: