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NTD6416ANT4G

fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO y el resto de los componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
tecnología:
Si
Categoría de productos:
MOSFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
2 V a 4 V
Identificación - corriente continua del dren:
17 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
81 mOhms
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Qg - carga de la puerta:
20 nC
Fabricante:
En el caso de las
Resaltar:

Semiconductor IC NTD6416ANT4G

,

NTD6416ANT4G MOSFET transistor

,

NTD6416ANT4G power management IC

Introducción
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