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NTZD3154NT5G

fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET 20V 540mA con doble canal N y ESD
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
570 mA
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
SOT-563-6
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
20 V
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
1 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
700 mOhmios
Número de canales:
2o canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
6 V
Qg - carga de la puerta:
1.5 nC
Fabricante:
En el caso de las
Resaltar:

Semiconductor IC NTZD3154NT5G

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NTZD3154NT5G integrated circuit

Introducción
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