NVD2955T4G: las condiciones de los equipos de ensayo
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO y otros componentes de los mismos
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
P-canal
tecnología:
Si
Categoría de productos:
MOSFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
- 60 V
embalaje:
El rollo
Identificación - corriente continua del dren:
- El 12 A.
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
155 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Qg - carga de la puerta:
15 nC
Fabricante:
En el caso de las
Resaltar:
Semiconductor IC NVD2955T4G
,NVD2955T4G power transistor
,NVD2955T4G with warranty
Introducción
El NVD2955T4G, de onsemi, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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