FCD380N60E
fabricante:
Semiconductor Fairchild
Descripción:
MOSFET 600V MOSFET de canal N
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
tecnología:
Si
Categoría de productos:
MOSFET
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Marca registrada:
SuperFET II
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
650 V
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
3,5 V
Identificación - corriente continua del dren:
10.2 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
380 mOhms
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
30 V
Qg - carga de la puerta:
34 nC
Fabricante:
Semiconductor Fairchild
Resaltar:
FCD380N60E power MOSFET
,FCD380N60E semiconductor IC
,FCD380N60E high voltage transistor
Introducción
El FCD380N60E, de Fairchild Semiconductor, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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