NTD2955T4G
![calidad [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
12A (TA)
@ qty:
0
Tipo de FET:
P-canal
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
30nC @ 10V
Fabricante:
En el caso de las
Cantidad mínima:
2500
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Factory Stock:
0
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
750pF @ 25V
Paquete de dispositivos del proveedor:
DPAK
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calcularán en función de las emisione
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Introducción
El NTD2955T4G,de onsemi,es MOSFET.lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado mundial,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
Productos relacionados
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán.
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagen | parte # | Descripción | |
|---|---|---|---|
|
|
MOSFET de doble inversión de alta velocidad semiconductor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo se aplicarán a los equipos de ensayo de los equipos de ensayo. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán. |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
