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FQD7P20TM

fabricante:
Semiconductor Fairchild
Descripción:
MOSFET 200V QFET de canal P
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
P-canal
tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
- 5,7 A
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
- 200 V
embalaje:
El rollo
Categoría de productos:
MOSFET
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
30 V
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
690 mOhms
Fabricante:
Semiconductor Fairchild
Resaltar:

FQD7P20TM semiconductor IC

,

FQD7P20TM power MOSFET

,

FQD7P20TM electronic component

Introducción
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