Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en todos los casos.
fabricante:
Semiconductor Fairchild
Descripción:
MOSFET N-CH/900V/8A/QFET de la serie C
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
6,3 A
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Marca registrada:
Cuadro de las medidas de control
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-263-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
900 V
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
5 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
1,6 ohmios
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
30 V
Qg - carga de la puerta:
35 nC
Fabricante:
Semiconductor Fairchild
Resaltar:
FQB8N90CTM MOSFET semiconductor IC
,FQB8N90CTM power transistor
,FQB8N90CTM electronic component
Introducción
El FQB8N90CTM, de Fairchild Semiconductor, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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