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El número de unidades de producción será el siguiente:

fabricante:
Semiconductor Fairchild
Descripción:
MOSFET SuperFET2 600V versión lenta
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
37 A
Estilo de montaje:
A través del agujero
Marca registrada:
SuperFET II
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El tubo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
3,5 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
87 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
30 V
Qg - carga de la puerta:
114 después de Cristo
Fabricante:
Semiconductor Fairchild
Resaltar:

FCH099N60E power MOSFET

,

FCH099N60E semiconductor IC

,

FCH099N60E electronic component

Introducción
El FCH099N60E, de Fairchild Semiconductor, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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