FDC3601N

fabricante:
Semiconductor Fairchild
Descripción:
MOSFET Dual N-Ch 100V Fosa de potencia de especificación
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
1 A
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Marca registrada:
PowerTrench
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
SSOT-6
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El rollo
Categoría de productos:
MOSFET
Número de canales:
2o canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
20 V
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
500 mOhms
Fabricante:
Semiconductor Fairchild
Resaltar:

FDC3601N semiconductor IC

,

FDC3601N power MOSFET

,

FDC3601N electronic component

Introducción
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