SQ2315ES-T1_GE3
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fabricante:
Siliciox / Vishay
Descripción:
MOSFET de canal P 12V AEC-Q101 Calificado
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
P-canal
tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
- 5 A
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Marca registrada:
TrenchFET
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
El SOT-23-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
- 12 V
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
- 1 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
0.042 ohmios
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
+/- 8 V
Qg - carga de la puerta:
13 a.C.
Fabricante:
Siliciox / Vishay
Introducción
El SQ2315ES-T1_GE3, de Siliconix / Vishay, es MOSFET. lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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