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NVD5C684NLT4G

fabricante:
En el caso de las
Descripción:
MOSFET T6 60V LL DPAK
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Polaridad del transistor:
N-canal
tecnología:
Si
Identificación - corriente continua del dren:
38 A
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Envase / estuche:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Modo del canal:
Aumento
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
embalaje:
El rollo
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:
1.2 V
Categoría de productos:
MOSFET
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:
13.7 mOhms
Número de canales:
1 Canal
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:
+/- 20 V
Qg - carga de la puerta:
9.6 nC
Fabricante:
En el caso de las
Resaltar:

Semiconductor IC NVD5C684NLT4G

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NVD5C684NLT4G IC chip

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Semiconductor IC with warranty

Introducción
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