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FGH60N60SMD

fabricante:
Semiconductor Fairchild
Descripción:
Transistores IGBT 600V/60A IGBT de parada de campo versión 2
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
nA 400
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
120 A
Pd - Disposición de energía:
600 w
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
Las demás:
Envase / estuche:
TO-247
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 °C
embalaje:
El tubo
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
20 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,9 V
Fabricante:
Semiconductor Fairchild
Resaltar:

N-channel MOSFET 600V

,

power semiconductor IC

,

high voltage transistor

Introducción
El FGH60N60SMD, de Fairchild Semiconductor, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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