NGTB25N120FL3WG
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
nA 200
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
100 A
Pd - Disposición de energía:
349 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
1,2 kilovoltios
Envase / estuche:
TO247-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
+/- 20 V
embalaje:
El tubo
Configuración:
No casado
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1.7 V
Fabricante:
En el caso de las
Resaltar:
Semiconductor IC NGTB25N120FL3WG
,Power transistor NGTB25N120FL3WG
,High voltage IC NGTB25N120FL3WG
Introducción
El NGTB25N120FL3WG, de onsemi, es IGBT Transistors. lo que ofrecemos tienen precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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