STF11NM80
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fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP, para el cual se utiliza el sistema de transmisión de energía
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
43.6 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero de los sistemas de energía eléctrica de los sistemas de
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
±30V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1630 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
MDmesh™
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220FP
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
35W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El número de los certificados
Introducción
N-canal 800 V 11A (Tc) 35W (Tc) a través del orificio TO-220FP
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