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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 66A TO247 y sus componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es igual o superior a:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
42 mOhm @ 33A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
±25V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5508 pF @ 100 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
Se aplicará el método siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-3
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
66A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
446W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de un vehículo de la categoría N.
Resaltar:

STW70N60DM2 power MOSFET

,

STW70N60DM2 semiconductor IC

,

STW70N60DM2 high voltage transistor

Introducción
N-canal 600 V 66A (Tc) 446W (Tc) a través del agujero TO-247-3
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: