Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET P-CH 40V POWERFLAT y otros componentes de energía
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerVDFN
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
22 nC @ 4,5 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
20.5mOhm @ 4A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
4.5V y 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
2850 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se aplicará el método siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
El sistema de control de velocidad es el sistema de control de velocidad.
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
8A (Tj)
Disipación de poder (máxima):
2.9W (Ta)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Sección 8
Introducción
P-Canal 40 V 8A (Tj) 2.9W (Ta) Montaje de superficie PowerFlatTM (3.3x3.3)
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