Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 y otros componentes de los mismos
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4.5V @ 50μA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es igual o superior a:
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
3.4 Ohm @ 600 mA, 10 V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
±30V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
165 pF @ 50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
SuperMESH3™
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-223
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1.8A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
3.3W (Ta)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de la STN3
Introducción
N-canal 400 V 1.8A (Tc) 3.3W (Ta) Montado de superficie SOT-223
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