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Hogar > productos > Semiconductor IC > Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Name: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Brand: WONDERFUL SEMICONDUCTOR（HONG KONG）CO.，LIMITED
Availability: InStock

fabricante:

STMicroelectrónica

Descripción:

MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT y otros componentes de energía

Categoría:

Semiconductor IC

Especificaciones

Categoría:

Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales

Característica del FET:

Vgs(th) (máximo) @ Id:

4V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento:

-55 °C ~ 175 °C (TJ)

Envase / estuche:

8-PowerVDFN

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:

60 nC a 10 V

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:

4.4mOhm @ 11.5A, 10V

Tipo de FET:

N-canal

Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):

10 V

Paquete:

Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Voltagem de salida a la fuente (Vdss):

Las demás:

Vgs (máximo):

± 20 V

Estado del producto:

Actividad

Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:

4570 pF @ 25 V

Tipo de montaje:

Montura de la superficie

Serie:

Se aplicará el método siguiente:

Paquete de dispositivos del proveedor:

PowerFlat™ (5x6)

El Sr.:

STMicroelectrónica

Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:

120A (Tc)

Disipación de poder (máxima):

4.8W (Ta), 140W (Tc)

tecnología:

MOSFET (óxido de metal)

Número del producto de base:

Se trata de una serie de

Resaltar:

MOSFET de potencia STL120N8F7

Circuito integrado semiconductor STL120N8F7

Componente electrónico STL120N8F7

Introducción

N-canal 80 V 120A (Tc) 4.8W (Ta), 140W (Tc) PowerFlatTM (5x6) montado en la superficie

Las etiquetas:

STM8AF5289TCX.

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