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STF28NM50N

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220FP y el resto de los componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Envase / estuche:
Paquete completo TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
50 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
500 V
Vgs (máximo):
±25V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1735 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
MDmesh™ II
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-220FP
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
35W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El artículo 5
Resaltar:

MOSFET de potencia STF28NM50N

,

Circuito integrado semiconductor STF28NM50N

,

Transistor de canal N STF28NM50N

Introducción
N-canal 500 V 21A (Tc) 35W (Tc) a través del orificio TO-220FP
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: