Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2.
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fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT y otros componentes de energía
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerVDFN
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las partidas de los demás componentes
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
3.6mOhm @ 13A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
DeepGATE™, STripFET™ VII
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerFlat™ (5x6)
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
130A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de la siguiente:
Introducción
N-canal 80 V 130A (Tc) 135W (Tc) PowerFlatTM de montaje de superficie (5x6)
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