SCTW70N120G2V
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fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
El sistema de transmisión de la señal de la red deberá estar equipado con un sistema de transmisión
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4.9V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Envase / estuche:
TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
150 nC @ 18 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
30mOhm @ 50A, 18V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
Las demás:
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
+22V, -10V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3540 pF @ 800 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El contenido de nitrato de sodio en el agua es:
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
91A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
tecnología:
SiCFET (carburo de silicio)
Número del producto de base:
Las condiciones de los vehículos
Introducción
N-Canal 1200 V 91A (Tc) 547W (Tc) a través del agujero HiP247TM
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