Se trata de una serie de medidas de control.
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fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223: las emisiones de gases de efecto invernadero y de gases de efecto inver
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
0.9 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
1.5 Ohm @ 500 mA, 10 V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
5V, 10V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
150 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
STripFET™ II
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-223
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
1A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
3.3W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de una serie de pruebas.
Introducción
N-canal 200 V 1A (Tc) 3.3W (Tc) Montado de superficie SOT-223
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