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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT y otros dispositivos de energía
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
175°C (TJ)
Envase / estuche:
8-PowerVDFN
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
5.4mOhm @ 10,5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se aplicará el método siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
PowerFlat™ (5x6)
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
90A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
4.8W (Ta), 94W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
El número de los certificados
Resaltar:

Circuito integrado semiconductor STL90N6F7

,

MOSFET de potencia STL90N6F7

,

STL90N6F7 con garantía

Introducción
N-canal 60 V 90A (Tc) 4.8W (Ta), 94W (Tc) PowerFlatTM de montaje de superficie (5x6)
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: