SCT040H65G3AG
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fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
Carburo de silicio de grado automotriz
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4.2V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-263-8, ² Pak (7 ventajas + etiquetas) de D, TO-263CA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
39.5 nC @ 18 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
15V, 18V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
650 V
Vgs (máximo):
+18 V, -5 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
920 pF @ 400 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Paquete de dispositivos del proveedor:
H2PAK-7
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
Se aplicarán las siguientes medidas:
tecnología:
SiCFET (carburo de silicio)
Número del producto de base:
Las condiciones de los productos
Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
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