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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de los componentes de la máquina.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-263-7, D²Pak (6 conductores + pestaña)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las partidas de los demás componentes
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
2Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán en función de la temperatura de los
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Vgs (máximo):
± 20 V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
11550 pF @ 25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Se aplicará el método siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
H2PAK-6
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
180A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
300W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de la siguiente:
Resaltar:

MOSFET de potencia STH240N10F7-6

,

Circuito integrado semiconductor STH240N10F7-6

,

Componente electrónico STH240N10F7-6

Introducción
N-canal 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montado de superficie H2PAK-6
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: