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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247 y el resto de los componentes
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
5V @ 100µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-247-3
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
48 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de ensayo.
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
El tubo
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
950 V
Vgs (máximo):
±30V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1550 pF @ 100 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Serie:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-3
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
17.5A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
250W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de velocidad.
Resaltar:

STW22N95K5 power MOSFET

,

STW22N95K5 semiconductor IC

,

STW22N95K5 high voltage transistor

Introducción
N-canal 950 V 17.5A (Tc) 250W (Tc) a través del agujero TO-247-3
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: