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Se trata de una enfermedad de transmisión sexual.

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales
Característica del FET:
-
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche:
TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
12.5 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
670mOhm @ 3,5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
650 V
Vgs (máximo):
±25V
Estado del producto:
Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
410 pF @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Serie:
Más de MDmesh™ II
Paquete de dispositivos del proveedor:
DPAK
El Sr.:
STMicroelectrónica
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
7A (Tc)
Disipación de poder (máxima):
85 W (Tc)
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base:
Enfermedad de transmisión sexual 11
Resaltar:

MOSFET de potencia STD11N65M2

,

Circuito integrado semiconductor STD11N65M2

,

Transistor de alta tensión STD11N65M2

Introducción
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción: