STW48NM60N
fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 39A a 247
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
Categoría de productos:
MOSFET
Vgs (máximo):
±25V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:
44A (Tc)
@ qty:
0
Tipo de FET:
N-canal
Tipo de montaje:
A través del agujero
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono
Fabricante:
STMicroelectrónica
Cantidad mínima:
1
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido):
10 V
Factory Stock:
0
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Característica del FET:
-
Serie:
MDmesh™ II
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4285pF @ 50V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247
Estado de las partes:
Actividad
embalaje:
El tubo
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:
70 mOhm @ 20A, 10V
Disipación de poder (máxima):
330W (Tc)
Envase / estuche:
TO-247-3
tecnología:
MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id:
4V @ 250µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Resaltar:
MOSFET de potencia STW48NM60N
,Circuito integrado semiconductor STW48NM60N
,STW48NM60N con garantía
Introducción
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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Analog Comparators
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