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STGB30H60DFB

fabricante:
STMicroelectrónica
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
+ / - 250 nA
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
DSM/SMT
Corriente de colector continua en 25 C:
60 A
Pd - Disposición de energía:
260 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
Las demás:
Envase / estuche:
D2PAK-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
+/- 20 V
embalaje:
El rollo
Configuración:
No casado
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,55 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Resaltar:

STGB30H60DFB IGBT semiconductor

,

STGB30H60DFB power IC

,

STGB30H60DFB high voltage IC

Introducción
El STGB30H60DFB, de STMicroelectronics, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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