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STGWA40H65DFB

fabricante:
STMicroelectrónica
Descripción:
Transistores IGBT Puerta de zanja IGBT, serie HB 650 V, 40 A de alta velocidad
Categoría:
Semiconductor IC
Especificaciones
corriente de la salida del Puerta-emisor:
+/- 250 nA
Categoría de productos:
Transistores IGBT
Estilo de montaje:
A través del agujero
Corriente de colector continua en 25 C:
80A
Pd - Disposición de energía:
283 W
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
650 V
Envase / estuche:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Voltaje máximo del emisor de la puerta:
+/- 20 V
Configuración:
No casado
Voltaje de saturación del Colector-emisor:
1,6 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Resaltar:

Semiconductor IGBT STGWA40H65DFB

,

Circuito integrado de potencia STGWA40H65DFB

,

Circuito integrado de alto voltaje STGWA40H65DFB

Introducción
El STGWA40H65DFB, de STMicroelectronics, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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